氙等离子体输运性质计算

本文作者：陈艳秋；成功正常投稿发表论文到《物理学报》2014年20期,引用请注明来源400期刊网！

【摘要】：采用基于将Chapman-Enskog方法扩展到高阶近似的方法计算获得了温度范围在300—40000K,不同压力条件下氙等离子体的黏性、热导率和电导率.热力学平衡条件下的计算结果与文献报道的实验和计算结果符合良好,验证了计算方法和结果的合理性与准确性.在此基础上,计算获得了电子温度(Te)不等于重粒子温度(Th)的热力学非平衡和化学平衡条件下氙等离子体的输运性质,并分析了输运性质随压力和热力学非平衡程度变化的原因.
【论文正文预览】：采用基于将Chapman-Enskog方法扩展到高阶近似的方法计算获得了温度范围在300—40000K,不同压力条件下氙等离子体的黏性、热导率和电导率.热力学平衡条件下的计算结果与文献报道的实验和计算结果符合良好,验证了计算方法和结果的合理性与准确性.在此基础上,计算获得了电子温
【文章分类号】：O53
【稿件关键词】：氙等离子体输运性质双温度
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【稿件标题】：氙等离子体输运性质计算
【作者单位】：中国民航科学技术研究院航空安全技术实验室;
【发表期刊期数】：《物理学报》2014年20期
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