衬底硅片质量对SDB工艺的影响研究

本文作者：张贺强；成功正常投稿发表论文到《天津科技》2014年11期,引用请注明来源400期刊网！

【摘要】：硅-硅直接键合技术广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件工艺中,衬底抛光片的质量对键合质量及器件性能起着至关重要的影响。衬底抛光片的质量包含几何尺寸精度及表面状态质量,会影响键合过程中的界面应力,或造成键合界面空洞的产生,从而影响键合质量。
【论文正文预览】：0引言SDB(Silicon-siliconDirectBonding)——硅-硅直接键合是将两片表面经清洗、活化的硅抛光片在室温下直接贴合,经高温处理,使界面发生物理化学反应,增加键合强度而形成整体。[1]这种键合结构与晶片的晶向、晶格常数、结晶状态、掺杂类型、掺杂浓度等无关,因此可任意选择
【文章分类号】：TN305.2
【稿件关键词】：硅片抛光片硅硅键合键合质量
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【稿件标题】：衬底硅片质量对SDB工艺的影响研究
【作者单位】：中国电子科技集团公司第四十六研究所;
【发表期刊期数】：《天津科技》2014年11期
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